NTLUS3A18PZTAG Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Additional Feature ULTRA LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 6
Power Dissipation-Max 700mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18m Ω @ 7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2240pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 150 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Height 500μm
Width 2mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series µCool™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.7W
Turn On Delay Time 8.6 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.1A Ta
Rise Time 15ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 88 ns
Continuous Drain Current (ID) 8.2A
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Length 2mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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