NTMD4820NR2G Technische Spezifikationen

Dual N-Channel 30 V 27 mOhm 7.7 nC 1.28 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 1.29W
Base Part Number NTMD4820N
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 9.4 ns
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20m Ω @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 940pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V
Fall Time (Typ) 4 ns
Continuous Drain Current (ID) 6.4A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4.9A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
Length 5mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Pin Count 8
Element Configuration Dual
Power Dissipation 1.28W
Power - Max 750mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.9A
Rise Time 4ns
Turn-Off Delay Time 21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.02Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 1.5mm
Width 4mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NTMD4102PR2G VB Spezialisierte heiße ICs 15868
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NTMD4184P ONSemicon Spezialisierte heiße ICs 6800
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NTMD4184PFR2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10252
NTMD4184PFR2G ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
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