NTMD4N03R2G Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 36 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Powers
Max Power Dissipation 2W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 8
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60m Ω @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 20V
Rise Time 14ns
Turn-Off Delay Time 16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
Length 5mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 48MOhm
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 4A
Base Part Number NTMD4N03
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 4A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 1.5mm
Width 4mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTMD4102PR2G VB Spezialisierte heiße ICs 15868
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