NTMFS4119NT3G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Current Rating 18A
Pin Count 5
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 900mW Ta
Power Dissipation 2.3W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5m Ω @ 29A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 24V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 40 ns
Continuous Drain Current (ID) 11A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A Ta
Rise Time 26ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
RoHS Status RoHS Compliant
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