NTMFS4C10NT1G-001 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2015
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Channels 1
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.2A Ta 46A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Discontinued
Subcategory FET General Purpose Power
Configuration Single
Power Dissipation-Max 750mW Ta
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.95m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 987pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.6nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Continuous Drain Current (ID) 46A
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