NTMS5838NLR2G Technische Spezifikationen

NTMS5838NLR2G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Pin Count 8
Power Dissipation-Max 1.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 11 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25m Ω @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 785pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 4 ns
Continuous Drain Current (ID) 5.8A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7.5A
Height 1.5mm
Width 4mm
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.5W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A Ta
Rise Time 23ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Length 5mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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