NTR0202PLT1G Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2002
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Current Rating -400mA
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 225mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA Ta
Rise Time 6ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 18 ns
Threshold Voltage -1.9V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.4A
Height 1.01mm
Width 1.4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 550MOhm
Voltage - Rated DC -20V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 225mW
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800m Ω @ 200mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.18nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 6 ns
Continuous Drain Current (ID) 400mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Length 3.04mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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