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NTR1P02LT3G Technische Spezifikationen

NTR1P02LT3G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 400mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.25V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A Ta
Rise Time 15ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 20 ns
Continuous Drain Current (ID) -1.3A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Nominal Vgs -1 V
Length 3.04mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 220MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 400mW
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220m Ω @ 750mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 18 ns
Threshold Voltage -1V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Height 1.01mm
Width 1.4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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