NTSJ20100CTG Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Gleichrichter-Dioden-Array
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Diode Element Material SILICON
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
Terminal Position SINGLE
Pin Count 3
Element Configuration Common Cathode
Diode Type Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 830mV @ 10A
Forward Current 20A
Max Surge Current 40A
Halogen Free Halogen Free
Max Reverse Voltage (DC) 100V
Number of Phases 1
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 100V
Peak Non-Repetitive Surge Current 150A
Max Forward Surge Current (Ifsm) 150A
Length 10.3mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Number of Pins 3
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -40°C
Subcategory Rectifier Diodes
Base Part Number NTST20100CT
Number of Elements 2
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 800μA @ 100V
Case Connection ISOLATED
Operating Temperature - Junction -40°C~150°C
Application EFFICIENCY
Forward Voltage 830mV
Average Rectified Current 10A
Peak Reverse Current 800μA
JEDEC-95 Code TO-220AB
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Height 8.2mm
Width 4.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTSJ20100CTG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 8487
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