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NTTD1P02R2 Technische Spezifikationen

MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Voltage - Rated DC -20V
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation 500mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Turn-Off Delay Time 30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
FET Feature Logic Level Gate
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 500mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating -1.45A
Pin Count 8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160m Ω @ 1.45A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 265pF @ 16V
Rise Time 30ns
Fall Time (Typ) 30 ns
Continuous Drain Current (ID) 1.45A
Drain-source On Resistance-Max 0.16Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTTD1P02R2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2785
NTTD1P02R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2562
NTTD1P02R2G ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays

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