NTTFS4928NTWG Technische Spezifikationen

N-Channel 10 V 9 mOhm 810 mW Surface Mount Power Mosfet - WDFN-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Resistance 9MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Pin Count 8
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.12W
Turn On Delay Time 9.2 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A Ta 37A Tc
Rise Time 25.5ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case 8-PowerWDFN
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
JESD-30 Code S-PDSO-F5
Power Dissipation-Max 810mW Ta 20.8W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 913pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 4.4 ns
Continuous Drain Current (ID) 37A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7.3A
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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NTTFS005N04CTAG ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
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