NTZD3154NT2G Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 250mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number NTZD3154N
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Dual
Power Dissipation 250mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Turn-Off Delay Time 16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 6V
Drain-source On Resistance-Max 0.55Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 20 pF
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550m Ω @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V
Rise Time 4ns
Fall Time (Typ) 4 ns
Continuous Drain Current (ID) 540mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.54A
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
FET Feature Standard
RoHS Status RoHS Compliant
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