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NUP4102XV6T1G Technische Spezifikationen

TVS DIODE 12VWM 25VC SOT563

Produkteigenschaft Attributwert
Category Schutzschaltung / TVS-Dioden
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Diode Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Additional Feature LOW CAPACITANCE, LOW LEAKAGE CURRENT
Max Power Dissipation 100W
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Working Voltage 12V
Configuration COMPLEX
Leakage Current 100nA
Voltage - Breakdown (Min) 13.6V
Clamping Voltage 25V
Peak Pulse Current 3A
Max Surge Current 3A
Direction Bidirectional
Capacitance @ Frequency 13pF @ 1MHz
Width 1.2mm
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature -40°C~125°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Type Zener
Applications General Purpose
Subcategory Transient Suppressors
Technology AVALANCHE
Terminal Form FLAT
Depth 1.2mm
Base Part Number NUP4102
Number of Elements 8
Polarity Bidirectional
Number of Channels 4
Power Line Protection No
Current - Peak Pulse (10/1000μs) 3A 8/20μs
Voltage - Reverse Standoff (Typ) 12V Max
Reverse Standoff Voltage 12V
Peak Pulse Power 75W
Breakdown Voltage 17.8V
Length 1.6mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NUP4102XV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor TVS-Dioden 1298
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