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NVB25P06T4G Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82m Ω @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1680pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±15V
Fall Time (Typ) 190 ns
Continuous Drain Current (ID) 27.5A
Drain-source On Resistance-Max 0.082Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 60V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 120W Tj
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 14 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27.5A Ta
Rise Time 72ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 43 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 15V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 80A
Avalanche Energy Rating (Eas) 600 mJ
RoHS Status RoHS Compliant
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NVB25P06T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5020

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