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NVB5860NT4G Technische Spezifikationen
MOSFET NFET D2PAK 60V 169A 3MOHM
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago) |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 220A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Vgs (Max) | ±20V |
Continuous Drain Current (ID) | 220A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 660A |
Height | 4.83mm |
Width | 9.65mm |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 3 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 283W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 27 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3m Ω @ 75A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10760pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Turn-Off Delay Time | 66 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
DS Breakdown Voltage-Min | 60V |
Length | 10.29mm |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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Datenblätter
Andere schließen ein "NVB58" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'NVB58'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
NVB5860N | VB | Spezialisierte heiße ICs | 1000 |
NVB5860NL | VB | Spezialisierte heiße ICs | 1000 |
NVB5860NLT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2686 |
NVB5860NLT4G | ON Semiconductor | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
NVB5860NT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2563 |
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Testpunkte
NVB5860NT4G Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NVB5860NT4G Referenzpreis. NVB5860NT4G Parameter, NVB5860NT4G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NVB5860NT4G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NVB5860NT4G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NVB5860NT4G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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