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NVD5414NT4G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37m Ω @ 24A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 47 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 75A
Height 2.38mm
Width 6.22mm
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 4
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 55W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A Tc
Rise Time 58ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 69 ns
Continuous Drain Current (ID) 24A
Drain-source On Resistance-Max 0.037Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 60V
Length 6.73mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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