NVD5865NLT4G Technische Spezifikationen

NVD5865NLT4G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 4
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3.1W
Turn On Delay Time 8.4 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16m Ω @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 203A
Avalanche Energy Rating (Eas) 36 mJ
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LIFETIME (Last Updated: 3 hours ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 3.1W Ta 71W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A Ta 46A Tc
Rise Time 12.4ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 4.4 ns
Continuous Drain Current (ID) 10A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 38A
DS Breakdown Voltage-Min 60V
Height 2.38mm
Width 6.22mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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