NVD5C434NT4G Technische Spezifikationen

NVD5C434NT4G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 117W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1m Ω @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80.6nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Terminal Finish Tin (Sn)
Reach Compliance Code not_compliant
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 163A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±20V
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