NVMFD5483NLT1G Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 60V 6.4A Automotive 8-Pin DFN EP T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 3.1W
Number of Elements 2
Power Dissipation 3.1W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 668pF @ 25V
Rise Time 10.3ns
Fall Time (Typ) 23.5 ns
Continuous Drain Current (ID) 6.4A
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2014
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Pin Count 8
Element Configuration Dual
Turn On Delay Time 6.8 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36m Ω @ 15A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Turn-Off Delay Time 37.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NVMFD030N06CT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 381
NVMFD5483NLT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 9837
NVMFD5483NLT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2684
NVMFD5483NLT3G ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NVMFD5483NLWFT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2626
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NVMFD5483NLWFT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2730
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