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NVMFS5826NLT3G
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NVMFS5826NLT3G Technische Spezifikationen
Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin SO-FL T/R
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 38 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | FLAT |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 5 |
Power Dissipation-Max | 3.6W Ta 39W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 15 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.032Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 20 mJ |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Number of Pins | 5 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2013 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 3.6W |
Turn On Delay Time | 9 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24m Ω @ 10A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A Ta |
Rise Time | 32ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 24 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 8A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 26A |
DS Breakdown Voltage-Min | 60V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NVMFS5826NLT3G Unterlagen
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Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'NVMFS'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
NVMFS015N10MCLT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 780 |
NVMFS4841NT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2662 |
NVMFS4841NT1G | ON Semiconductor | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
NVMFS4841NT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 9234 |
NVMFS4841NWFT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 9250 |
NVMFS4841NWFT1G | ON Semiconductor | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
NVMFS4C01NT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2585 |
NVMFS4C01NT1G | ON Semiconductor | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
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