NXH100B120H3Q0PTG Technische Spezifikationen

IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Package / Case Module
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 186W
Current - Collector Cutoff (Max) 200μA
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 9.075nF @ 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Part Status Active
Configuration 2 Independent
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NXH100B120H3Q0STG ON Semiconductor IGBT-Module
NXH1010-WB PHILIS Spezialisierte heiße ICs 15

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