NZT6717 Technische Spezifikationen

NZT6717 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Weight 188mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2014
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1W
Terminal Form GULL WING
Base Part Number NZT6717
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 80V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 250mA 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 10mA, 250mA
Collector Emitter Saturation Voltage 350mV
Collector Base Voltage (VCBO) 80V
hFE Min 50
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 4
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 80V
Terminal Position DUAL
Current Rating 1.2A
Number of Elements 1
Power Dissipation 1W
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN
Max Collector Current 1.2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 80V
Max Breakdown Voltage 80V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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