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P2N2907ARL1G
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P2N2907ARL1G Technische Spezifikationen
P2N2907ARL1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2007 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | EUROPEAN PART NUMBER |
Voltage - Rated DC | -60V |
Terminal Position | BOTTOM |
Current Rating | -600mA |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 625mW |
Gain Bandwidth Product | 200MHz |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 600mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 60V |
Collector Emitter Saturation Voltage | -1.6V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Turn On Time-Max (ton) | 50ns |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e1 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 625mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Frequency | 200MHz |
Base Part Number | P2N2907 |
Qualification Status | Not Qualified |
Element Configuration | Single |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 1.6V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Transition Frequency | 200MHz |
Collector Base Voltage (VCBO) | -60V |
hFE Min | 75 |
RoHS Status | RoHS Compliant |
P2N2907ARL1G Unterlagen
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Datenblätter
Andere schließen ein "P2N29" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'P2N29'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
P2N2907A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2726 |
P2N2907AG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2566 |
P2N2907AG | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren | |
P2N2907ARL1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2757 |
P2N2907ARL1 | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren | |
P2N2907ARL1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 11407 |
P2N2907AZL1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 8478 |
P2N2907AZL1 | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren | |
P2N2907AZL1 | Rochester Electronics, LLC | Einzelne BJT-Transistoren | |
P2N2907AZL1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2696 |
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P2N2907ARL1G Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, P2N2907ARL1G Referenzpreis. P2N2907ARL1G Parameter, P2N2907ARL1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden P2N2907ARL1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden P2N2907ARL1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, P2N2907ARL1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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