PCP1208-TD-H Technische Spezifikationen

PCP1208-TD-H datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Max Power Dissipation 1.3W
Pin Count 3
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 200mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 35mA, 350mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 200V
Collector Emitter Saturation Voltage 115mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 8V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Package / Case TO-243AA
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e6
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Reach Compliance Code not_compliant
Element Configuration Single
Gain Bandwidth Product 120MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Current - Collector (Ic) (Max) 700mA
Collector Base Voltage (VCBO) 220V
hFE Min 200
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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