PN2907TA Technische Spezifikationen

PN2907TA datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 240mg
Packaging Tape & Box (TB)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 625mW
Base Part Number PN2907
Element Configuration Single
Transistor Type PNP
Max Collector Current 800mA
Current - Collector Cutoff (Max) 20nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Collector Base Voltage (VCBO) -60V
hFE Min 100
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Voltage - Rated DC -60V
Current Rating -800mA
Number of Elements 1
Power Dissipation 625mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Collector Emitter Saturation Voltage 1.6V
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Continuous Collector Current 800mA
RoHS Status RoHS Compliant
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