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QSB363CYR Technische Spezifikationen

Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 2-Pin T-3/4 T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Fühler / Phototransistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 2-SMD, Yoke Bend
Weight 90mg
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Max Power Dissipation 75mW
Number of Elements 1
Power Dissipation 75mW
Lens Style Domed
Fall Time (Typ) 15 μs
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Wavelength 940nm
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 2
Operating Temperature -25°C~85°C TA
Published 2011
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Orientation Top View
Polarity NPN
Viewing Angle 24°
Rise Time 15μs
Collector Emitter Voltage (VCEO) 5V
Lens Color Clear
Dark Current 100nA
Lead Free Lead Free
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QSB363CYR Unterlagen

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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
QSB363 Fairchild/ON Semiconductor Optische Sensoren - Phototransistoren 41776
QSB363 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Optische Sensoren - Phototransistoren 2769
QSB363 ON Semiconductor Phototransistoren
QSB363CGR AMI Semiconductor / ON Semiconductor Optische Sensoren - Phototransistoren 2580
QSB363CGR Fairchild/ON Semiconductor Optische Sensoren - Phototransistoren 2508
QSB363CGR ON Semiconductor Phototransistoren
QSB363CGR Rochester Electronics, LLC Phototransistoren
QSB363CYR Fairchild/ON Semiconductor Optische Sensoren - Phototransistoren 2693
QSB363CYR AMI Semiconductor / ON Semiconductor Optische Sensoren - Phototransistoren 2605
QSB363CZR AMI Semiconductor / ON Semiconductor Optische Sensoren - Phototransistoren 4454

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