RFD3055LE Technische Spezifikationen

RFD3055LE datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 107mOhm
Voltage - Rated DC 60V
Current Rating 11A
Power Dissipation-Max 38W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 107m Ω @ 8A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V
Fall Time (Typ) 39 ns
Continuous Drain Current (ID) 11A
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Recovery Time 66 ns
Height 6.3mm
Width 2.5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Weight 343.08mg
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2002
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 38W
Turn On Delay Time 8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A Tc
Rise Time 105ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 22 ns
Threshold Voltage 3V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Nominal Vgs 3 V
Length 6.8mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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RFD3055 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 48831
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