RFP12N10L Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 4.535924g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 100V
Current Rating 12A
Number of Channels 1
Power Dissipation-Max 60W Tc
Current 12A
Power Dissipation 60W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V
Fall Time (Typ) 80 ns
Continuous Drain Current (ID) 12A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 200mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Voltage 100V
Element Configuration Single
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200m Ω @ 12A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 25V
Rise Time 70ns
Vgs (Max) ±10V
Turn-Off Delay Time 100 ns
Threshold Voltage 2V
Gate to Source Voltage (Vgs) 10V
Height 9.4mm
Width 4.83mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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