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SBC817-40LT1G Technische Spezifikationen

SBC817-40LT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Gain Bandwidth Product 100MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 45V
Collector Emitter Saturation Voltage 700mV
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
Height 1.11mm
Width 2.64mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 300mW
Terminal Form GULL WING
Frequency 100MHz
Base Part Number BC817
Number of Elements 1
Power Dissipation 300mW
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 45V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Transition Frequency 100MHz
Max Breakdown Voltage 45V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Length 3.04mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SBC810KJ AMP Connectors / TE Connectivity Durchsteckwiderstände 2538
SBC8120RJ AMP Connectors / TE Connectivity Durchsteckwiderstände 2531
SBC817-16LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 30344
SBC817-16LT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 51665
SBC817-16LT3G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
SBC817-25LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 6000
SBC817-25LT1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
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SBC817-40LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 20319

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