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SBC856BDW1T3G Technische Spezifikationen

TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
Pin Count 6
Polarity PNP
Transistor Application AMPLIFIER
Collector Emitter Voltage (VCEO) 65V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Collector Base Voltage (VCBO) 80V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 380mW
Frequency 100MHz
Number of Elements 2
Power Dissipation 380mW
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 65V
Transition Frequency 100MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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SBC856ALT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3971
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