SGS13N60UFDTU Technische Spezifikationen

SGS13N60UFDTU datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 6.5A
Element Configuration Single
Input Type Standard
Max Collector Current 13A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Test Condition 300V, 6.5A, 50 Ω, 15V
Gate Charge 25nC
Td (on/off) @ 25°C 20ns/70ns
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 45W
Base Part Number SG*13N60
Power Dissipation 45W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 55ns
Collector Emitter Saturation Voltage 2.1V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 6.5A
Current - Collector Pulsed (Icm) 52A
Switching Energy 85μJ (on), 95μJ (off)
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SGS13N60 FSC Spezialisierte heiße ICs 1079
SGS13N60UFD FAI Spezialisierte heiße ICs 60
SGS13N60UFDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 6733
SGS13N60UFDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 798
SGS13N60UFDTU Rochester Electronics, LLC Einzelne IGBTs

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