SGS6N60UFDTU Technische Spezifikationen

SGS6N60UFDTU datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 3A
Element Configuration Single
Input Type Standard
Max Collector Current 6A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Test Condition 300V, 3A, 80 Ω, 15V
Gate Charge 15nC
Td (on/off) @ 25°C 15ns/60ns
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 22W
Base Part Number SG*6N60
Power Dissipation 22W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 52ns
Collector Emitter Saturation Voltage 3V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 3A
Current - Collector Pulsed (Icm) 25A
Switching Energy 57μJ (on), 25μJ (off)
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SGS6N60UFDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2781
SGS6N60UFDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2555
SGS6N60UFDTU Rochester Electronics, LLC Einzelne IGBTs
SGS6N60UFTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2662
SGS6N60UFTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2799
SGS6N60UFTU ON Semiconductor Einzelne IGBTs

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