SI4532DY Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 230.4mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2017
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Position DUAL
Current Rating 3.9A
Number of Elements 2
Power Dissipation 2W
Power - Max 900mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A 3.5A
Rise Time 8ns
Fall Time (Typ) 6 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.9A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 3 V
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 65MOhm
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 2W
Terminal Form GULL WING
Base Part Number SI4532D
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 18 ns
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65m Ω @ 3.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 235pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 18 ns
Threshold Voltage 3V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Standard
Height 1.5mm
Width 4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SI4532 SI Spezialisierte heiße ICs 2526
SI4532A VISHAY Spezialisierte heiße ICs 1941
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SI4532ADY-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2436
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