SMUN2214T3G Technische Spezifikationen

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position DUAL
Base Part Number MUN2214
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
hFE Min 80
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
Max Power Dissipation 230mW
Terminal Form GULL WING
Pin Count 3
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SMUN2111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2564
SMUN2111T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
SMUN2111T3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2764
SMUN2111T3G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
SMUN2113T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2526
SMUN2113T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
SMUN2114T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 3129
SMUN2114T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
SMUN2211T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 16550
SMUN2211T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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