SS8550BBU Technische Spezifikationen

SS8550BBU datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1W
Current Rating -1.5A
Base Part Number SS8550
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 85 @ 100mA 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 80mA, 800mA
Transition Frequency 200MHz
Max Breakdown Voltage 30V
Emitter Base Voltage (VEBO) -6V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 179mg
Operating Temperature 150°C TJ
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -25V
Terminal Position BOTTOM
Frequency 200MHz
Number of Elements 1
Power Dissipation 1W
Gain Bandwidth Product 200MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 25V
Collector Emitter Saturation Voltage -280mV
Collector Base Voltage (VCBO) -40V
hFE Min 85
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SS8550 CJ Spezialisierte heiße ICs 2376
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