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SSD2007ATF Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Voltage - Rated DC 50V
Current Rating 2A
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Rise Time 70ns
Turn-Off Delay Time 100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
FET Feature Logic Level Gate
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 2W
Power Dissipation 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300m Ω @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Fall Time (Typ) 70 ns
Continuous Drain Current (ID) 2A
Drain to Source Breakdown Voltage 50V
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SSD20 Bussmann (Eaton) Elektrische, Spezial-Sicherungen 2716
SSD20 Eaton - Bussmann Electrical Division Elektrische Sicherungen
SSD2002-TF SAMSUNG Spezialisierte heiße ICs 2302
SSD2002ATF S Spezialisierte heiße ICs 2469
SSD2002ATF. SAMSUNG Spezialisierte heiße ICs 2780
SSD2002STF Samsung Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2500
SSD2002TF SAMSUNG Spezialisierte heiße ICs 3397
SSD2003 S Spezialisierte heiße ICs 33000
SSD2003 MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 19265
SSD2003-TF Original Spezialisierte heiße ICs 33500

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