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SSVMUN5312DW1T2G Technische Spezifikationen

Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BRT COMPLEMENTARY

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Base Part Number MUN53**DW1
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 22k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Published 2007
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 187mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Emitter Base (R2) 22k Ω
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SSVMUN5312DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3343
SSVMUN5312DW1T2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 3217

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