TF252TH-5-TL-H Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / JFETs Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e6
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Max Power Dissipation 100mW
Base Part Number TF252
Number of Elements 1
Operating Mode DEPLETION MODE
FET Type N-Channel
Halogen Free Halogen Free
Breakdown Voltage 20V
Continuous Drain Current (ID) 1mA
FET Technology JUNCTION
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1V @ 1μA
Length 1.4mm
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 3-SMD, Flat Lead
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.95
Terminal Position DUAL
Pin Count 3
Element Configuration Single
Power Dissipation 100mW
Transistor Application AMPLIFIER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3.1pF @ 2V
Drain to Source Voltage (Vdss) 2V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.001A
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 210μA @ 2V
Height 340μm
Width 800μm
Lead Free Lead Free
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