TIP112 Technische Spezifikationen

TIP112 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Weight 1.214g
Packaging Bulk
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 100V
Current Rating 2A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power - Max 2W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 100V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 1A 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 8mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transition Frequency 40MHz
Max Breakdown Voltage 100V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Continuous Collector Current 2A
Length 12.7mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220-3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2007
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -65°C
Max Power Dissipation 2W
Base Part Number TIP112
Polarity NPN
Power Dissipation 50W
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 2mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 100V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Collector Emitter Saturation Voltage 2.5V
Collector Base Voltage (VCBO) 100V
hFE Min 500
Height 12.7mm
Width 12.7mm
RoHS Status RoHS Compliant
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TIP110 Central Semiconductor Corp Einzelne BJT-Transistoren
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