TIP147T Technische Spezifikationen

TIP147T datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.214g
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 80W
Base Part Number TIP147
Polarity PNP
Power Dissipation 80W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 100V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 5A 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 10A
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Height 9.4mm
Width 4.83mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -100V
Current Rating -2A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type PNP - Darlington
Max Collector Current 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 2mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 100V
Collector Base Voltage (VCBO) -100V
hFE Min 1000
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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