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WPB4002-1E Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH Pwr MOSFET 600V 23A 0.36Ohm

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Pin Count 3
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 84 ns
Continuous Drain Current (ID) 23A
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Weight 6.961991g
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 220W Tc
Turn On Delay Time 42 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360m Ω @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A Ta
Rise Time 130ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 234 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
WPB4001-1E AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2585
WPB4002 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2532
WPB4002-1E AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2636

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WPB4002-1E Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, WPB4002-1E Referenzpreis. WPB4002-1E Parameter, WPB4002-1E Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden WPB4002-1E Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden WPB4002-1E Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, WPB4002-1E Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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