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ZTX614 Technische Spezifikationen

ZTX614 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 250mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2002
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Max Power Dissipation 1W
Reach Compliance Code unknown
Base Part Number ZTX614
Polarity NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10000 @ 500mA 5V
JEDEC-95 Code TO-226AE
Collector Emitter Breakdown Voltage 100V
Collector Base Voltage (VCBO) 120V
hFE Min 5000
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Voltage - Rated DC 100V
Terminal Position BOTTOM
Current Rating 800mA
Number of Elements 1
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 800mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.25V @ 8mA, 800mA
Collector Emitter Saturation Voltage 1.25V
Emitter Base Voltage (VEBO) 10V
RoHS Status RoHS Compliant
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ZTX614 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2773
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ZTX614 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2541
ZTX614 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
ZTX614QSTZ ZETEX Spezialisierte heiße ICs 2328
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