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TA810PW1R50J
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TA810PW1R50J Technische Spezifikationen
RES 1.5 OHM 10W 5% RADIAL
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Widerstände / Durchsteckwiderstände |
Manufacturer | Ohmite |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Tolerance | ±5% |
Supplier Device Package | Powerchip® |
Series | Power Chip® TA |
Power (Watts) | 10W |
Package / Case | Radial |
Number of Terminations | 4 |
Features | - |
Composition | Thick Film |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Temperature Coefficient | ±100ppm/°C |
Size / Dimension | 1.085" L x 0.240" W (27.56mm x 6.10mm) |
Resistance (Ohms) | 1.5 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 180°C |
Height - Seated (Max) | 1.020" (25.91mm) |
Failure Rate | - |
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Datenblätter
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Andere schließen ein "TA810" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'TA810'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
TA8101F | TOSHIBA | Spezialisierte heiße ICs | 510 |
TA8101N | Toshiba Semiconductor and Storage | Spezialisierte heiße ICs | 37 |
TA8102P | TOSH | Spezialisierte heiße ICs | 2563 |
TA8103F | TOSHIBA | Spezialisierte heiße ICs | 2646 |
TA8104F | TOSHIBA | Spezialisierte heiße ICs | 591 |
TA8104F-TP1 | Toshiba Semiconductor and Storage | Spezialisierte heiße ICs | 1703 |
TA8106F | TOSHIBA | Spezialisierte heiße ICs | 1243 |
TA8106F MOS | Toshiba Semiconductor and Storage | Spezialisierte heiße ICs | 559 |
TA8106FG | TOS | Spezialisierte heiße ICs | 2693 |
TA8106FG(M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Spezialisierte heiße ICs | 88 |
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TA810PW1R50J Markenhersteller: Ohmite, Bonchip Aktie, TA810PW1R50J Referenzpreis. TA810PW1R50J Parameter, TA810PW1R50J Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden TA810PW1R50J Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden TA810PW1R50J Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, TA810PW1R50J Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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