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DMG564H30R
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DMG564H30R Technische Spezifikationen
TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet |
Manufacturer | Panasonic |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k, 10k |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | SMini6-F3-B |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 47k, 1k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
DMG564H30R Unterlagen
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Datenblätter
Andere schließen ein "DMG56" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'DMG56'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
DMG563010R | Panasonic | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 4530 |
DMG563010R | Panasonic Electronic Components | BJT-Transistor-Arrays | |
DMG563020R | Panasonic | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2574 |
DMG563020R | Panasonic Electronic Components | BJT-Transistor-Arrays | |
DMG563H10R | Panasonic | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2565 |
DMG563H10R | Panasonic Electronic Components | BJT-Transistor-Arrays | |
DMG563H40R | Panasonic | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2576 |
DMG563H40R | Panasonic Electronic Components | BJT-Transistor-Arrays | |
DMG563H50R | Panasonic | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 6500 |
DMG563H50R | Panasonic Electronic Components | BJT-Transistor-Arrays |
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