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DRA2522J0L Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Panasonic
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 5k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 100mA
Supplier Device Package Mini3-G3-B
Resistor - Base (R1) (Ohms) 270
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DRA2514E0L Panasonic Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2742
DRA2514E0L Panasonic Electronic Components Vorbelastete BJT-Transistoren
DRA2522J0L Panasonic Electronic Components Vorbelastete BJT-Transistoren
DRA2523E0L Panasonic Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 3259
DRA2523E0L Panasonic Electronic Components Vorbelastete BJT-Transistoren
DRA2523Y0L Panasonic Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 5420
DRA2523Y0L Panasonic Electronic Components Vorbelastete BJT-Transistoren
DRA2533Q0L Panasonic Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2552
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