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DRA9115E0L Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Panasonic
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 100k
Power - Max 125mW
Package / Case SC-89, SOT-490
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SSMini3-F3-B
Resistor - Base (R1) (Ohms) 100k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DRA9113Z0L Panasonic Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2670
DRA9113Z0L Panasonic Electronic Components Vorbelastete BJT-Transistoren
DRA9114E-X PANASONIC Spezialisierte heiße ICs 3000
DRA9114E0L Panasonic Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 24100
DRA9114E0L Panasonic Electronic Components Vorbelastete BJT-Transistoren
DRA9114T0L Panasonic Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2651
DRA9114T0L Panasonic Electronic Components Vorbelastete BJT-Transistoren
DRA9114Y Panasoni Spezialisierte heiße ICs 3443
DRA9114Y0L Panasonic Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 3296
DRA9114Y0L Panasonic Electronic Components Vorbelastete BJT-Transistoren

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