UNRF2A100A Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 100MW ML3-N2

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Panasonic
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 100mW
Package / Case SC-101, SOT-883
Frequency - Transition 150MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package ML3-N2
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 80mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
UNRF2A1001ER PANAS Spezialisierte heiße ICs 4551
UNRF2A300A Panasonic Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 89829
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UNRF2A7001ER 1Z Panasonic Spezialisierte heiße ICs 110254
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