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UFB25SC12E1BC3N Technische Spezifikationen

1200 V, 25 A SiC Full Bridge Module

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / SiC Leistungsmodul
Manufacturer Qorvo
Factory Lead Time 3 Weeks
VDS Max 1200V
RDS(on) Typ @ 25C 35mohm
Topology Full Bridge
Operating temperature 150 C (max)
Low body diode VFSD 1.4 V
Threshold voltage VG(th 5 V (typ) allowing 0 to 15 V drive
Typical Applications EV Charging Stations PV Inverters Energy Storage Switch mode power supplies
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
ID Max 25A
Package Type E1B
On Resistance RDS(on) 35 mohm (typ)
Excellent reverse recovery Qrr = 244 nC
Low gate charge QG = 42.5 nC
ESD protected HBM class 2 and CDM class C3
ECCN EAR99
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UFB25SC12E1BC3N Markenhersteller: Qorvo, Bonchip Aktie, UFB25SC12E1BC3N Referenzpreis. UFB25SC12E1BC3N Parameter, UFB25SC12E1BC3N Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden UFB25SC12E1BC3N Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden UFB25SC12E1BC3N Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, UFB25SC12E1BC3N Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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