2SA1577T106R Technische Spezifikationen

2SA1577T106R datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-70, SOT-323
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating -500mA
Base Part Number 2SA1577
Number of Elements 1
Power - Max 200mW
Gain Bandwidth Product 200MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 32V
Max Breakdown Voltage 32V
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Continuous Collector Current -500mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Copper, Silver, Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC -32V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 30mA, 300mA
Transition Frequency 200MHz
Collector Base Voltage (VCBO) -40V
hFE Min 82
VCEsat-Max 0.4 V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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2SA1507S AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 1397
2SA1507S ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren

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