2SAR533PT100 Technische Spezifikationen

2SAR533PT100 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-243AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish TIN COPPER
Max Power Dissipation 2W
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Configuration SINGLE
Case Connection COLLECTOR
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 400mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 50mA 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 1A
Max Frequency 300MHz
Max Breakdown Voltage 50V
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
hFE Min 180
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Copper, Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number 2SAR533
Number of Elements 1
Power Dissipation 2W
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP
Max Collector Current 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Transition Frequency 300MHz
Frequency - Transition 300MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) -6V
Continuous Collector Current -3A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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